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Grundlagen der Bändertheorie des Festkörpers II. Kristalle in äußeren Feldern — Realkristalle
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Author(s):
V. L. Bonč-Bruevič
,
S. G. Kalašnikov
Publication date
(Print):
1982
Publisher:
Springer Vienna
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,
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(1955)
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Theory of Donor and Acceptor States in Silicon and Germanium
C Kittel
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A Mitchell
(1954)
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Author and book information
Book Chapter
Publication date (Print):
1982
Pages
: 121-156
DOI:
10.1007/978-3-7091-9495-9_4
SO-VID:
52320c1a-d5ce-4eb8-a5ba-54e56d1a1edf
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Book chapters
pp. 15
Einige Eigenschaften von Halbleitern
pp. 49
Chemische Bindung in Halbleitern
pp. 83
Grundlagen der Bändertheorie des Festkörpers I. Das ideale Gitter
pp. 121
Grundlagen der Bändertheorie des Festkörpers II. Kristalle in äußeren Feldern — Realkristalle
pp. 157
Die Statistik der Elektronen und Löcher in Halbleitern
pp. 193
Kontaktphänomene
pp. 229
Elektronen und Löcher als Nichtgleichgewichtsladungsträger
pp. 258
Gleichrichtung und Verstärkung von Wechselströmen mit Hilfe von p-n-Übergängen
pp. 277
Rekombinationsstatistik von Elektronen und Löchern
pp. 297
Elektronische Oberflächenzustände
pp. 326
Photoelektrische Erscheinungen
pp. 353
Gitterschwingungen
pp. 375
Grundlagen der kinetischen Theorie der Transporterscheinungen
pp. 420
Streuung der Ladungsträger im nichtidealen Kristallgitter
pp. 458
Akustoelektrische Erscheinungen
pp. 481
Heiße Elektronen
pp. 513
Probleme bei der Begründung der Bändertheorie und Aufgabenstellungen, die über ihren Rahmen hinausgehen
pp. 538
Halbleiteroptik
pp. 575
Stark dotierte Halbleiter
pp. 647
Erratum to: Elektronen und Löcher als Nichtgleichgewichtsladungsträger
pp. 647
Erratum to:Einige Eigenschaften von Halbleitern
pp. 647
Erratum to: Grundlagen der kinetischen Theorie der Transporterscheinungen
pp. 647
Erratum to: Photoelektrische Erscheinungen
pp. 647
Erratum to: Elektronische Oberflächenzustände
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